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Safety factor profile requirements for electron ITB formation in TCV

机译:TCV中电子ITB形成的安全系数曲线要求

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摘要

On the Tokamak a Configuration Variable (TCV), electron internal transport barriers (eITBs) can be formed during a gradual evolution from a centrally peaked to a hollow current profile while all external actuators are held constant. The formation occurs rapidly (
机译:在Tokamak组态变量(TCV)上,当所有外部执行器保持恒定时,在从中心峰值到空心电流曲线的逐步演变过程中,可以形成电子内部传输势垒(eITB)。形成迅速(

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