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Field evaporation of insulators and semiconductors: Theoretical insights for ZnO

机译：绝缘体和半导体的场蒸发：ZnO的理论见解

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We look at the new challenges associated with Atom Probe Tomography of insulators and semiconductors with regard to local fields inside and on the surface of such materials. The theoretical discovery that in high fields the band gap in these materials is drastically reduced to the point where at the evaporation field strength it vanishes will be crucial in our discussion. To understand Atom Probe results on the field evaporation of insulators and semiconductors we use density functional theory on ZnO clusters to follow the structural and electronic changes during field evaporation and to obtain potential energy curves, HOMO-LUMO gaps, field distributions, desorption pathways and fragments, dielectric constants, and polarizabilities. We also examine the effects of electric field reversal on the evaporation of ZnO and compare the results with Si. (C) 2015 Elsevier B.V. All rights reserved.
机译：我们将针对绝缘体和半导体的原子探针层析成像技术，对此类材料内部和表面的局部挑战进行研究。理论上的发现是，在高场中，这些材料中的带隙急剧减小到蒸发场强消失的程度，这对于我们的讨论至关重要。为了了解Atom Probe在绝缘体和半导体场蒸发方面的结果，我们使用密度泛函理论对ZnO团簇进行跟踪，以了解场蒸发过程中的结构和电子变化，并获得势能曲线，HOMO-LUMO间隙，场分布，解吸途径和碎片，介电常数和极化率。我们还检查了电场反转对ZnO蒸发的影响，并将结果与​​Si进行了比较。 （C）2015 Elsevier B.V.保留所有权利。

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