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场增强金属绝缘体－半导体/金属绝缘体－金属电子发射器

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在基于金属绝缘体半导体或者金属绝缘体金属发射器的电子发射器中，场发射结构被包括在发射器结构内。这种场发射器可以包括一个导电基底和这个导电基底上形成的一个电子供给层。这个电子供给层，例如未掺杂多晶硅，具有一些突出部分，形成在它的表面上。可以控制突出部分的锐度和密度。在这个电子供给层和突出部分上面，可以形成一个绝缘体，从而包围这些突出部分。可以在这个绝缘体上形成一个顶部导电层。被包围的突出部分对真空中的杂质不那么敏感。

著录项

公开/公告号CN1412804A

专利类型发明专利
公开/公告日2003-04-23

原文格式PDF
申请/专利权人惠普公司;
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申请/专利号CN02143588.X
发明设计人 X·圣;H·比雷基;S·T·林;H·P·郭;S·L·纳伯惠斯;
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申请日2002-10-11
分类号H01J1/30;H01J9/02;
代理机构中国专利代理(香港)有限公司;
代理人邹光新
地址美国加利福尼亚州
入库时间 2023-12-17 14:40:20

法律信息

法律状态公告日

法律状态信息

法律状态
2009-01-14

发明专利申请公布后的视为撤回

发明专利申请公布后的视为撤回
2004-09-08

实质审查的生效

实质审查的生效
2003-04-23

公开

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