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Monte Carlo Simulation Study of Spin Transport in Strained Single Layer Graphene

机译：应变单层石墨烯自旋输运的蒙特卡罗模拟研究

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Effect of uniaxial strain on spin relaxation length in single layer graphene is studied in this work using semi-classical Monte Carlo simulation. Spin relaxation is modeled using the D'yakonov-Perel mechanism. The major scattering mechanisms incorporated are acoustic phonon scattering, optical phonon emission and optical phonon absorption. It is shown that spin relaxation length decreases on applying uniaxial strain in the direction of drift of electrons while it increases on applying uniaxial strain in the direction perpendicular to the direction of drift of electrons. An explanation of this variation in spin relaxation length is given in terms of decrease in scattering rates and velocity of electrons.
机译：使用半经典蒙特卡洛模拟研究了单轴应变对单层石墨烯自旋弛豫长度的影响。使用D'yakonov-Perel机制对自旋松弛进行建模。结合的主要散射机制是声子声子散射，光子声子发射和光子声子吸收。结果表明，自旋弛豫长度在沿电子漂移方向施加单轴应变时减小，而在沿垂直于电子漂移方向施加单轴应变时则增大。自旋弛豫长度的这种变化的解释是根据散射速率和电子速度的降低而给出的。

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