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Investigation of High Performance 10-nm Double Gate Junctionless Tunnel Field Effect Transistor

机译：高性能10nm双栅极无结隧道场效应晶体管的研究

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This paper investigates the performance of 10 nm double gate junctionless tunnel field effect transistor (DG-JLTFET) and double gate tunnel field effect transistor (DG-TFET), and then further optimization of different performance parameters for the DG-JLTFET is achieved by varying the different device parameters. Finally, by taking the optimized device parameters, we achieved excellent results of different performance parameters for the DG-JLTFET. The simulation results of DG-JLTFET with high-k dielectric material (TiO_2) of 10 nm gate length shows excellent characteristics with high I_(ON) of ～1.2 mA/μm, low I_(OFF) of ～75 fA/μm, high I_(ON)/I_(OFF) ratio of ～1.6 × 10~(10), a point subthreshold slope of ～23 mV/decade, and an average subthreshold slope of ～34 mV/decade at supply voltage of 1 V and at room temperature, which indicates that DG-JLTFET is a promising candidate for switching performance.
机译：本文研究了10 nm双栅极无结隧道场效应晶体管（DG-JLTFET）和双栅极隧道场效应晶体管（DG-TFET）的性能，然后通过改变DG-JLTFET的不同性能参数来进一步优化不同的设备参数。最后，通过优化器件参数，我们获得了DG-JLTFET不同性能参数的出色结果。栅极长度为10 nm的高k介电材料（TiO_2）的DG-JLTFET的仿真结果显示出优异的特性，其中I_（ON）约为1.2 mA /μm，I_（OFF）约为75 fA /μm， I_（ON）/ I_（OFF）之比约为1.6×10〜（10），点亚阈值斜率约为23 mV /十倍，而平均亚阈值斜率在电源电压为1 V且电压为10伏时为〜34 mV /十倍。室温，这表明DG-JLTFET是开关性能的有希望的候选者。

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