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首页> 外文期刊>The journal of physical chemistry, C. Nanomaterials and interfaces >Oxygen-Etching of h-BN/Ru(0001) Nanomesh on the Nano- and Mesoscopic Scale
【24h】

Oxygen-Etching of h-BN/Ru(0001) Nanomesh on the Nano- and Mesoscopic Scale

机译：h-BN / Ru（0001）纳米网在纳米和介观尺度上的氧蚀

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The stability of the recently discovered h-BN/Ru(0001) nanomesh is of crucial importance for potential applications as a nanotemplate. In particular, thermal stability in oxygen environment is important for nanocatalysis applications. We report here on the etching experiments of the h-BN layer by molecular oxygen exposure at elevated temperatures. This process is studied both by scanning tunneling microscopy (STM) on a microscopic scale and with in situ low energy electron microscopy (LEEM) on the mesoscopic scale. Temperature thresholds are determined for the microscopic (600 °C) and the mesoscopic (750 °C) etching processes for O2 pressures up to 1 x 10~(-6) mbar. Submonolayer amounts of Au deposited on the h-BN/ Ru(0001) nanomesh improve considerably the stability of the h-BN nanomesh against etching by O2.
机译：最近发现的h-BN / Ru（0001）纳米网的稳定性对于作为纳米模板的潜在应用至关重要。特别地，氧气环境中的热稳定性对于纳米催化应用很重要。我们在这里报告了在高温下通过分子氧暴露对h-BN层进行的蚀刻实验。通过在微观尺度上的扫描隧道显微镜（STM）和在介观尺度上的原位低能电子显微镜（LEEM）对这一过程进行了研究。确定了在1 x 10〜（-6）mbar的O2压力下的微观（600°C）和介观（750°C）蚀刻工艺的温度阈值。沉积在h-BN / Ru（0001）纳米网上的亚单层量的Au大大提高了h-BN纳米网抵抗O2腐蚀的稳定性。

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