...
  • 主题
高级搜索  >
历史搜索 清空历史
首页> 外文期刊>Physical chemistry chemical physics: PCCP >Insights into the gas phase oxidation of Ru(0001) on the mesoscopic scale using molecular oxygen
【24h】

Insights into the gas phase oxidation of Ru(0001) on the mesoscopic scale using molecular oxygen

机译：用分子氧洞察Ru（0001）气相介观氧化

获取原文
获取原文并翻译 | 示例
           
页面导航
  • 摘要
  • 著录项
  • 相似文献
  • 相关主题

摘要

We present an extensive mesoscale study of the initial gas phase oxidation of Ru(0001), employing in situ low-energy electron microscopy (LEEM), micro low-energy electron diffraction (mu-LEED) and scanning tunneling microscopy (STM). The initial oxidation was investigated in a temperature range of 500-800 K at a constant oxygen pressure of p(O-2) = 4 x 10(-5) mbar. Depending to the preparation temperature a dramatic change of the growth morphology of the RuO2 film was observed. At lower temperature (580 K) the RuO2(110) film grows anisotropically oriented along the high symmetry directions of the Ru(0001) substrate. At higher temperature (680 K), new rotational domains of RuO2(110) begin to appear, which are slightly rotated by up to 201 with respect to the high symmetry direction. These rotated RuO2(110) domains grow along slightly rotated step edges and reveal an isotropic growth morphology. Both the growth speed and the nucleation rate differ from that of the oxide growth at lower temperature (580 K).
机译：我们使用原位低能电子显微镜（LEEM），微低能电子衍射（mu-LEED）和扫描隧道显微镜（STM），对Ru（0001）的初始气相氧化进行了广泛的中尺度研究。在恒定氧气压力p（O-2）= 4 x 10（-5）mbar下，在500-800 K的温度范围内研究了初始氧化。根据制备温度，观察到RuO 2膜的生长形态发生了显着变化。在较低的温度（580 K）下，RuO2（110）薄膜沿Ru（0001）衬底的高对称方向各向异性生长。在更高的温度（680 K）下，RuO2（110）的新旋转域开始出现，相对于高对称性方向，其旋转幅度最大为201。这些旋转的RuO2（110）域沿略微旋转的台阶边缘生长，并显示出各向同性的生长形态。生长速度和成核速率均与低温（580 K）下氧化物的生长速率和成核速率不同。

著录项

相似文献

  • 外文文献
  • 中文文献
  • 专利
获取原文

客服邮箱：kefu@zhangqiaokeyan.com

京公网安备：11010802029741号 ICP备案号：京ICP备15016152号-6 六维联合信息科技 (北京) 有限公司©版权所有

  • 客服微信

  • 服务号