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A MESFET variable-capacitance analytical model

机译：MESFET可变电容分析模型

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A GaAs MESFET three-terminal varactor diode fabricated on a semi-insulating substrate can be used for the MMIC active voltage-controlled filter because it is compatible with the standard GaAs MMIC process. The high capacitance ratio needed for wideband tuning filter requires the three-terminal varactor diode (TTVD) to be biased up pinch-off voltage or positive bias.Therefore a variable-capacitance model is applied to analyzing C-V characteristics of this TTVD. The earlier capacitance model for GaAs MESFET did not consider the free carrier move in active region which can cause varying the C-V characteristic, but only depletion layer model approximation. The new model described here takes into account the free carrier move for contributing to gate capacitance, The model analytical results agree well with experiment.
机译：在半绝缘基板上制造的GaAs MESFET三端变容二极管可用于MMIC有源压控滤波器，因为它与标准GaAs MMIC工艺兼容。宽带调谐滤波器所需的高电容比要求将三端变容二极管（TTVD）偏置为夹断电压或正偏置，因此将可变电容模型用于分析该TTVD的C-V特性。较早的GaAs MESFET电容模型并未考虑自由载流子在有源区中的移动，这会引起C-V特性的变化，而只是考虑了耗尽层模型的近似性。这里描述的新模型考虑了自由载流子对栅极电容的贡献，该模型的分析结果与实验非常吻合。

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