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Structural and electrical properties of ZnO films on freestanding thick diamond films

机译：独立式厚金刚石膜上ZnO膜的结构和电学性质

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In this paper, ZnO films are deposited on freestanding thick diamond films (FTDF) by plasma-assisted metal organic chemical vapour deposition (MOCVD). Diethyl zinc (DEZn), O-2 and N2O are applied as precursors and different substrate temperatures are used to achieve high quality ZnO films. The influence of substrate temperature on the properties of ZnO films is systematically investigated by X-ray diffraction (XRD), Hall measurements and electron probe microanalysis (EPMA). Experimental results demonstrate that ZnO films deposited at 600 degrees C and 73 Pa display a fine electrical quality and Zn/O atomic ratio plays an important role in the electrical property of ZnO films.
机译：在本文中，通过等离子体辅助金属有机化学气相沉积（MOCVD）将ZnO膜沉积在独立的厚金刚石膜（FTDF）上。二乙基锌（DEZn），O-2和N2O被用作前体，并且使用不同的衬底温度来获得高质量的ZnO膜。通过X射线衍射（XRD），霍尔测量和电子探针微分析（EPMA）系统地研究了衬底温度对ZnO薄膜性能的影响。实验结果表明，在600°C和73 Pa下沉积的ZnO薄膜显示出优良的电质量，并且Zn / O原子比在ZnO薄膜的电性能中起着重要的作用。

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