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首页> 外文期刊>Zeitschrift fur Anorganische und Allgemeine Chemie >~(29)Si NMR shielding tensors in triphenylsilanes - ~(29)Si solid state NMR experiments and DFT-IGLO calculations
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~(29)Si NMR shielding tensors in triphenylsilanes - ~(29)Si solid state NMR experiments and DFT-IGLO calculations

机译：三苯基硅烷中的〜（29）Si NMR屏蔽张量-〜（29）Si固态NMR实验和DFT-IGLO计算

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~(29)Si NMR shielding tensors of a series of triphenylsilanes Ph _3SiR with R = Ph, Me, F, Cl, Br, OH, OMe, SH, NH _2, SiPh _3, C≡CPh were determined from ~(29)Si CP/MAS spectra recorded at low spinning rates. In addition the principal components of the shielding tensor were calculated employing the DFT-IGLO method. For most silanes experimental and calculated values are in good accordance. Larger differences were observed for systems with hydrogen bridge forming substituents and the halides bromide and chloride. In some of the spectra the shielding information interfered with residual dipolar couplings. The different contributions of the various substituents to the principal components of the shielding tensor and the orientation of the tensor within the molecules are discussed and compared for the compounds under investigation.
机译：由〜（29）确定了一系列三苯基硅烷Ph _3SiR的〜（29）Si NMR屏蔽张量，R = Ph，Me，F，Cl，Br，OH，OMe，SH，NH _2，SiPh _3，C≡CPh Si CP / MAS光谱以低旋转速率记录。此外，使用DFT-IGLO方法计算了屏蔽张量的主要成分。对于大多数硅烷而言，实验值和计算值均相符。对于具有形成氢桥的取代基以及卤化物，溴化物和氯化物的系统，观察到较大的差异。在某些光谱中，屏蔽信息会干扰残留的偶极耦合。对于所研究的化合物，讨论并比较了各种取代基对屏蔽张量主要成分的不同贡献以及张量在分子内的取向。

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