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首页> 外文期刊>Zeitschrift fur Anorganische und Allgemeine Chemie >Gd2AlGe2: An 'almost-zintl phase' and a new stacking variant of the W2CoB2 type
【24h】

Gd2AlGe2: An 'almost-zintl phase' and a new stacking variant of the W2CoB2 type

机译：Gd2AlGe2：“几乎为零的相位”和W2CoB2类型的新堆叠变量

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The synthesis, structure determination and calculated electronic structure of the new phase, Gd2AlGe2, are reported. The Compound crystallizes in a new structure type with space group C2/c, a = 10.126(2) Angstrom, b = 5.6837(12) Angstrom, c = 7.7683(16) Angstrom, and beta = 104.729(3)s. Tight-binding linear-muffin-tin orbital (TB-LMTO-ASA) calculations show a distinct minimum in the total density of states for this structure at 18 valence electrons per formula unit (Gd2AlGe2 has 17 valence electrons in its formula unit), which arises from polar covalent bonding within the three-dimensional [AlGe2] net, Gd-Ge interactions and three-center, two-electron bonding between Al and Gd. The structure is a new stacking variant of the W2CoB2 structure type, which is observed for numerous ternary rare-earth silicides and germanides. [References: 25]
机译：报告了新相Gd2AlGe2的合成，结构确定和计算的电子结构。该化合物以空间组C2 / c，a = 10.126（2）埃，b = 5.6837（12）埃，c = 7.7683（16）埃和beta = 104.729（3）s的新结构类型结晶。紧密结合的线性松饼-锡轨道（TB-LMTO-ASA）计算显示，在每个公式单位18个价电子的情况下，该结构的状态总密度具有明显的最小值（Gd2AlGe2在公式单位中具有17个价电子），产生于三维[AlGe2]网络中的极性共价键，Gd-Ge相互作用以及Al和Gd之间的三中心，两电子键。该结构是W2CoB2结构类型的一种新的堆叠变体，可用于多种三元稀土硅化物和锗化物。 [参考：25]

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