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【24h】

Molecular precursors to gallium oxide thin films

机译：氧化镓薄膜的分子前体

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The donor-functionalised alkoxides [Et2Ga(OR)](2) (R = CH2CH2NMe2 (1), CH(CH2NMe2)(2) (2), CH2CH2OMe (3), CH(CH3)CH2NMe2 (4), C(CH3)(2)CH2OMe (5)) were synthesised by the 1 : 1 reaction of Et3Ga with ROH in hexane or dichloromethane at room temperature. Reaction of Et3Ga with excess ROH in refluxing toluene resulted in the isolation of a 1 : 1 mixture of [Et2Ga(OR)](2) and the ethylgallium bisalkoxide [EtGa(OR)(2)] (R = CH2CH2NMe2 (6) or CH(CH3)CH2NMe2 (7)). X-ray crystallography showed that compound 6 is monomeric and this complex represents the first structurally characterised monomeric gallium bisalkoxide. Homoleptic gallium trisalkoxides [Ga(OR)(3)](2) were prepared by the 1 : 6 reaction of [Ga(NMe2)(3)](2) with ROH (R = CH2CH2NMe2 (8), CH(CH3)CH2NMe2 (9), C(CH3)(2)CH2OMe (10)). The decomposition of compounds 1, 4, 5 and 8 were studied by thermal gravimetric analysis. Low pressure CVD of 1 and 5 resulted in the formation of thin films of crystalline Ga2O3.
机译：供体官能化的醇盐[Et2Ga（OR）]（2）（R = CH2CH2NMe2（1），CH（CH2NMe2）（2）（2），CH2CH2OMe（3），CH（CH3）CH2NMe2（4），C（CH3 ）（2）CH2OMe（5））是在室温下通过Et3Ga与ROH在己烷或二氯甲烷中的1：1反应合成的。 Et3Ga与过量的ROH在回流的甲苯中反应导致分离出[Et2Ga（OR）]（2）和乙基镓二烷氧化物[EtGa（OR）（2）]的1：1混合物（R = CH2CH2NMe2（6）或CH（CH3）CH2NMe2（7））。 X射线晶体学表明化合物6是单体，并且该络合物代表第一结构上表征的单体双烷氧基镓。通过[Ga（NMe2）（3）]（2）与ROH（R ​​= CH2CH2NMe2（8），CH（CH3））的1：6反应制备均三镓醇盐[Ga（OR）（3）]（2） CH2NMe2（9），C（CH3）（2）CH2OMe（10））。通过热重分析研究了化合物1、4、5和8的分解。 1和5的低压CVD导致形成晶体Ga2O3薄膜。

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