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首页> 中文会议>第一届全国宽禁带半导体学术及应用技术会议 >氧化镓薄膜分子束外延生长及其器件研制

氧化镓薄膜分子束外延生长及其器件研制

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作为一种新兴的宽禁带半导体,由于,氧化镓可以采用标准熔区法或倒模法生长低成本、高质量单晶,因此,近年来,单斜结构β-Ga2O3备受人们关注.从功率器件的角度看,氧化镓的Baliga优值因子仅次于金刚石,比SiC和GaN更适合研制功率器件,随着单晶质量的提高,2012年,日本信息通信研究所首次报道了基于β-Ga2O3的场效应晶体管,初步显示了其在功率器件方面的潜在价值.此外,β-Ga2O3还是直接带隙半导体,禁带宽度达4.9eV,吸收带边对应于日盲紫外区,将在日盲紫外探测方面具有重要应用价值.为了开展基于宽禁带氧化镓的日盲紫外探测器研制，本实验室采用分子束外延在(0001)取向的蓝宝石基片上生长p-Ga203异质外延薄膜，并初步研究了其紫外响应特性。在优化条件下，根据X射线衍射谱判断：所生长p-Ga203薄膜具有良好的织构特性。在此基础上，本文还研制了光电导型日盲紫外探测器，在20V偏压下，其饱和暗电流约为0.04nA，饱和光电流约为438nA，光电流与暗电流比值约为10-4，由此计算得到：在20V偏压下，器件光响应度约为259AW-l。与所有光电导探测器一样，器件虽然存在一定程度的持续光电导现象，但从图1所示的器件动态响应特性来看，器件基本可以满足紫外成像系统研制的需要。

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