首页> 中国专利> 在衬底上生长氧化镓薄膜的方法和氧化镓薄膜

在衬底上生长氧化镓薄膜的方法和氧化镓薄膜

页面导航

摘要
著录项
法律信息
相似文献

摘要

本发明的实施例提供了一种在衬底上生长氧化镓薄膜的方法和氧化镓薄膜，涉及半导体技术领域。方法包括对衬底进行表面清洁处理；将衬底置于真空室内，对衬底的表面进行溅射清洗；采用物理气相沉积方法在衬底上生长氧化镓薄膜，其中，生长温度为：25℃‑200℃，优化低温生长的工艺窗口，可实现氧化镓薄膜在高温下性能活泼、易变形或易产生界面层的衬底上生长；通过加热盘在氧化镓薄膜的正上方对氧化镓薄膜进行真空原位退火，其中，退火温度为：500℃～700℃，优化退火工艺窗口，能有效促进氧化镓薄膜的重结晶，提高结晶程度；待氧化镓薄膜在真空室内冷却至室温，取出氧化镓薄膜。

著录项

公开/公告号CN112831750A

专利类型发明专利
公开/公告日2021-05-25

原文格式PDF
申请/专利权人广东省科学院中乌焊接研究所;
展开▼

申请/专利号CN202110002490.9
发明设计人王海燕;林研;曾才有;张宇鹏;
展开▼

申请日2021-01-04
分类号C23C14/08(20060101);C23C14/28(20060101);C23C14/35(20060101);C23C14/58(20060101);C23C14/02(20060101);
代理机构11463 北京超凡宏宇专利代理事务所(特殊普通合伙);
代理人严诚
地址 510000 广东省广州市天河区长兴路363号
入库时间 2023-06-19 11:05:16

法律信息

法律状态公告日

法律状态信息

法律状态
2022-10-18

发明专利申请公布后的驳回 IPC(主分类):C23C14/08 专利申请号:2021100024909 申请公布日:20210525

发明专利申请公布后的驳回

相似文献

专利
中文文献
外文文献

1. 在衬底上生长氧化镓薄膜的方法和氧化镓薄膜 [P] . 中国专利： CN112831750A . 2021-05-25
2. 一种气溶胶辅助化学气相沉积的氧化镓薄膜的生长方法及氧化镓薄膜 [P] . 中国专利： CN113388824A . 2021-09-14
3. Gallium oxide thin film based on sapphire substrate, its growth method, and use [P] . JP2021527610A . 2021-10-14

机译：基于蓝宝石衬底的氧化镓薄膜，其生长方法和使用
4. Method for low-temperature, hetero-epitaxial growth of thin film cSi on amorphous and multi-crystalline substrates and c-Si devices on amorphous, multi-crystalline, and crystalline substrates [P] . 美国专利： US2006208257A1 . 2006-09-21

机译：在非晶和多晶衬底上薄膜cSi的低温异质外延生长方法以及在非晶，多晶和晶体衬底上的c-Si器件的低温异质外延生长方法
5. METHOD OF IMPROVING SURFACE MORPHOLOGY OF (GA,AL,IN,B)N THIN FILMS AND DEVICES GROWN ON NONPOLAR OR SEMIPOLAR (GA,AL,IN,B)N SUBSTRATES [P] . 美国专利： US2010219416A1 . 2010-09-02

机译：改善（GA，AL，In，B）N薄膜和生长在非极性或半极性（GA，AL，IN，B）N衬底上的薄膜和表面形貌的方法