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【24h】

Junctionless Tunnel Field Effect Transistor with Enhanced Performance Using III-V Semiconductor

机译：使用III-V半导体增强性能的无结隧道效应晶体管

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In this paper, the performance of a double gate Junctionless Tunnel Field Effect Transistor has been enhanced with very decent characteristics using a ternary III-V semiconductor compound. This device has a uniform channel of In_(1-x)Al_xSb which is heavily n-type doped. The simulations are performed for various Al mole fractions and different dielectric constants of gate oxide. The results show the commendable point sub-threshold slope (～8.5 mV/decade), average sub-threshold slope (～9 mV/decade), I_(ON) (～3.5 mA), I_(ON)/I_(OFF) ratio (～2 × 10~(15)) at room temperature. The performance reflects that III-V semiconductor compounds have immense purview for low power applications.
机译：在本文中，使用三元III-V半导体化合物以非常不错的特性增强了双栅极无结隧道场效应晶体管的性能。该器件具有In_（1-x）Al_xSb的均匀沟道，该沟道被重掺杂为n型。针对各种Al摩尔分数和不同的栅氧化物介电常数进行了仿真。结果显示了值得称赞的点亚阈值斜率（〜8.5 mV / decade），平均亚阈值斜率（〜9 mV / decade），I_（ON）（〜3.5 mA），I_（ON）/ I_（OFF）室温下的比率（〜2×10〜（15））。该性能反映出III-V半导体化合物在低功耗应用中具有广阔的应用前景。

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