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首页> 外文期刊>Journal of Non-Crystalline Solids: A Journal Devoted to Oxide, Halide, Chalcogenide and Metallic Glasses, Amorphous Semiconductors, Non-Crystalline Films, Glass-Ceramics and Glassy Composites >The epitaxial growth of sputtered silicon layers on differently oriented substrates at low temperature - An electron microscopic study
【24h】

The epitaxial growth of sputtered silicon layers on differently oriented substrates at low temperature - An electron microscopic study

机译：低温下不同取向衬底上溅射硅层的外延生长-电子显微镜研究

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We investigated epitaxial silicon films deposited on differently oriented substrates by pulsed magnetron sputtering at temperatures of 500-550 degrees C. Our scanning and transmission electron microscopic as well as electron backscattering investigations show that epitaxial films grow not only on (10 0)-oriented substrates, but also on (2 1 0)-, (4 1 1)- and (3 1 1)-oriented ones. A change to the (1 0 0) orientation is found for the growth on (1 1 1)-, (3 2 1)- and close to (1 1 0)-oriented substrates. For these orientations transmission electron microscopic investigations show stacking faults, microtwins and small amorphous inclusions in a region starting at the substrate-film interface up to thicknesses of 150-200 nm. With increasing film thickness above 200 nm the crystalline perfection of the epitaxial layers improves. (C) 2007 Elsevier B.V. All rights reserved.
机译：我们通过脉冲磁控溅射在500-550摄氏度的温度下研究了沉积在不同取向的衬底上的外延硅膜。我们的扫描和透射电子显微镜以及电子反向散射研究表明，外延膜不仅在（10 0）取向的衬底上生长，但也面向（2 1 0）-，（4 1 1）-和（3 1 1）。发现在（1 1 1）-，（3 2 1）-和接近（1 1 0）取向的基板上生长时，（1 0 0）方向发生了变化。对于这些取向，透射电子显微镜研究显示了从基底膜界面开始直至厚度为150-200 nm的区域中的堆垛层错，微孪晶和小的无定形夹杂物。随着膜厚度增加到200 nm以上，外延层的晶体完整性得到改善。 （C）2007 Elsevier B.V.保留所有权利。

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