【24h】

Electron spin resonance studies of microcrystalline and amorphous silicon irradiated with high energy electrons

机译:高能电子辐照的微晶和非晶硅的电子自旋共振研究

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摘要

Paramagnetic defects in tc-%:H and a-Si:H with various structure compositions were investigated by electron spin resonance (ESR). The defect density was varied by high energy electron bombardment and subsequent annealing. The spin density increases by up to 3 orders of magnitude. In most cases the initial spin density can be restored upon annealing at 160 degrees C. (c) 2006 Elsevier B.V. All rights reserved.
机译:通过电子自旋共振(ESR)研究了具有不同结构组成的tc%:H和a-Si:H中的顺磁缺陷。缺陷密度通过高能电子轰击和随后的退火而变化。自旋密度最多增加3个数量级。在大多数情况下,可以在160摄氏度退火时恢复初始自旋密度。(c)2006 Elsevier B.V.保留所有权利。

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