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首页> 外文期刊>Journal of Non-Crystalline Solids: A Journal Devoted to Oxide, Halide, Chalcogenide and Metallic Glasses, Amorphous Semiconductors, Non-Crystalline Films, Glass-Ceramics and Glassy Composites >Photoelectron spectroscopy study of the effect of substrate doping on an HfO2/SiO2-Si gate stack
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Photoelectron spectroscopy study of the effect of substrate doping on an HfO2/SiO2-Si gate stack

机译：光电子能谱研究衬底掺杂对HfO2 / SiO2 / n-Si栅叠层的影响

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Core level photoelectron spectroscopy has been used to investigate the effect of substrate doping on the binding energies of 1 nm HfO2/0.6 nm SiO2/Si films. A characteristic 0.26-0.30 nm Hf0.35Si0.65O2 silicate interface is formed between the gate oxide and the SiO2 layer with an equivalent oxide thickness of 0.5 nm. High substrate doping shifts the Fermi level upwards by 0.5 eV. An interface dipole forms giving rise to a shift in the local work function. Screening from substrate electrons is confined to the SiO2/Si interface. The principal contributions modifying the core level binding energies in the oxide are the doping dependant Fermi level position and the interface dipole strength. (c) 2007 Elsevier B.V. All rights reserved.
机译：核心能级光电子能谱已用于研究衬底掺杂对1 nm HfO2 / 0.6 nm SiO2 / Si膜结合能的影响。在栅极氧化物和SiO2层之间形成特征为0.26-0.30 nm的Hf0.35Si0.65O2硅酸盐界面，等效氧化物厚度为0.5nm。高衬底掺杂使费米能级向上移动0.5 eV。界面偶极子形式引起局部功函数的偏移。从衬底电子的筛选仅限于SiO2 / Si界面。改变氧化物中核心能级结合能的主要贡献是掺杂相关的费米能级位置和界面偶极强度。 （c）2007 Elsevier B.V.保留所有权利。

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