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首页> 外文期刊>Journal of Non-Crystalline Solids: A Journal Devoted to Oxide, Halide, Chalcogenide and Metallic Glasses, Amorphous Semiconductors, Non-Crystalline Films, Glass-Ceramics and Glassy Composites >Formation of electronic conducting amorphous WO3 thin films by ion implantation
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Formation of electronic conducting amorphous WO3 thin films by ion implantation

机译：通过离子注入形成电子导电非晶态WO3薄膜

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Increased dc electrical conductivity was observed in amorphous (a-) WO3 thin films after ion implantation of He+ or W+. Specimens implanted at similar to 100 K, display conductivity increased from similar to 10(-8) S cm(-1) to similar to 10(-2) S cm(-1) for 90 keV He+ of 1 x 10(17) cm(-2), or to similar to 50 S cm(-1) for 300 keV W+ of 5x10(15) cm(-2). It is suggested that carrier generation occurs by formation of oxygen ion vacancies in a-WO3. (C) 1998 Elsevier Science B.V. All rights reserved. [References: 16]
机译：He +或W +离子注入后，在非晶（a-）WO3薄膜中观察到直流电导率增加。对于1 x 10（17）的90 keV He +，以大约100 K注入的样品显示电导率从相似的10（-8）S cm（-1）增加到相似的10（-2）S cm（-1）。 cm（-2），或对于5 x10（15）cm（-2）的300 keV W +与50 S cm（-1）相似。建议通过在a-WO 3中形成氧离子空位来产生载流子。 （C）1998 Elsevier Science B.V.保留所有权利。 [参考：16]

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