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首页> 外文期刊>Journal of Non-Crystalline Solids: A Journal Devoted to Oxide, Halide, Chalcogenide and Metallic Glasses, Amorphous Semiconductors, Non-Crystalline Films, Glass-Ceramics and Glassy Composites >Atomic layer deposition of Al2O3, ZrO2, Ta2O5, and Nb2O5 based nanolayered dielectrics
【24h】

Atomic layer deposition of Al2O3, ZrO2, Ta2O5, and Nb2O5 based nanolayered dielectrics

机译：Al2O3，ZrO2，Ta2O5和Nb2O5基纳米层电介质的原子层沉积

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Ta2O5, Ta-Nb-O, Zr-Al-Nb-O, and Zr-Al-O mixture films or solid solutions were grown on Si(100) substrates at 300 C by atomic layer deposition. The equivalent oxide thickness of Ta2O5 based capacitors was between 1 and 3 nm. In Zr-Al-O films, the high permittivity of ZrO2 was combined with high resistivity of Al2O3 layers. The permittivity, surface roughness and interface charge density increased with the Zr content and the equivalent oxide thickness was between 2.0 and 2.5 nm. In the Zr-Al-Nb-O films the equivalent oxide thickness remained at 1.8-2.0 nm. (C) 2002 Elsevier Science Ltd. All rights reserved. [References: 17]
机译：通过原子层沉积，在300℃的Si（100）衬底上生长Ta2O5，Ta-Nb-O，Zr-Al-Nb-O和Zr-Al-O混合膜或固溶体。基于Ta2O5的电容器的等效氧化物厚度在1-3 nm之间。在Zr-Al-O膜中，ZrO2的高介电常数与Al2O3层的高电阻率结合在一起。介电常数，表面粗糙度和界面电荷密度随Zr含量的增加而增加，等效氧化物厚度在2.0至2.5 nm之间。在Zr-Al-Nb-O膜中，等效氧化物厚度保持在1.8-2.0nm。 （C）2002 Elsevier ScienceLtd。保留所有权利。 [参考：17]

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