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首页> 外文期刊>Journal of Non-Crystalline Solids: A Journal Devoted to Oxide, Halide, Chalcogenide and Metallic Glasses, Amorphous Semiconductors, Non-Crystalline Films, Glass-Ceramics and Glassy Composites >Amorphous As-S-Se semiconductor resists for holography and lithography
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Amorphous As-S-Se semiconductor resists for holography and lithography

机译：全息和光刻用非晶态As-S-Se半导体抗蚀剂

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The photo- and electron-beam induced changes in solubility of thin films of the amorphous chalcogenide semiconductors As-S-Se and As2S3 have been studied. The possibilities of practical application of these materials as resists for the production of relief holograms and holographic optical elements are discussed. It is shown that the self-enhancement (SE) phenomenon of holographic recording in amorphous chalcogenide semiconductor films by light or thermal treatment can be used to increase the diffraction efficiency (DE) of the holograms. (C) 2002 Elsevier Science B.V. All rights reserved. [References: 10]
机译：已经研究了光和电子束诱导非晶硫族化物半导体As-S-Se和As2S3薄膜的溶解度变化。讨论了将这些材料实际用作抗蚀剂以生产浮雕全息图和全息光学元件的可能性。已经表明，通过光或热处理在非晶硫族化物半导体膜中的全息记录的自增强（SE）现象可以用于提高全息图的衍射效率（DE）。 （C）2002 Elsevier Science B.V.保留所有权利。 [参考：10]

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