公开/公告号CN103026474B
专利类型发明专利
公开/公告日2016-08-24
原文格式PDF
申请/专利权人 日产化学工业株式会社;
申请/专利号CN201180036266.6
申请日2011-07-26
分类号
代理机构上海专利商标事务所有限公司;
代理人胡烨
地址 日本东京
入库时间 2022-08-23 09:45:35
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2016-08-24
授权
授权
2013-06-19
实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 21/368 申请日:20110726
实质审查的生效
2013-04-03
公开
公开
机译: 用于形成非晶态金属氧化物半导体层的前体组合物,用于制造非晶态金属氧化物半导体层的方法以及用于制造半导体器件的方法
机译: 用于形成非晶态金属氧化物半导体层的前体组合物,非晶态金属氧化物半导体层,其制造方法以及半导体装置
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