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首页> 外文期刊>Journal of Non-Crystalline Solids: A Journal Devoted to Oxide, Halide, Chalcogenide and Metallic Glasses, Amorphous Semiconductors, Non-Crystalline Films, Glass-Ceramics and Glassy Composites >Growth of microcrystalline silicon films using deuterium dilution
【24h】

Growth of microcrystalline silicon films using deuterium dilution

机译：使用氘稀释法生长微晶硅膜

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The role of atomic hydrogen in microcrystalline silicon formation by plasma enhanced chemical vapor deposition is studied by deuterium dilution. SiH4/D-2, in comparison with hydrogen dilution. The ratio of SiD* and SiH* emission intensities, SiD*/SiH*, observed in the plasma increases with increasing input power, indicative of increasing number of H-D exchange events. The ratio of deuterium to hydrogen content, D/H, in the film increases with increasing SiD*/SiH* in amorphous phase. while D/H remains constant in microcrystalline films. This implies the difference in hydrogen surface reaction in microcrystalline silicon growth from amorphous silicon growth. The mechanism of these reactions is discussed by investigating temperature dependence of D/H. (C) 2002 Elsevier Science B.V. All rights reserved. [References: 11]
机译：通过氘稀释研究了氢原子在等离子体增强化学气相沉积形成微晶硅中的作用。与氢气稀释相比，SiH4 / D-2。在等离子体中观察到的SiD *和SiH *发射强度之比SiD * / SiH *随着输入功率的增加而增加，这表示H-D交换事件的数量增加。膜中氘与氢含量的比率D / H随着非晶相中SiD * / SiH *的增加而增加。而D / H在微晶膜中保持恒定。这暗示了微晶硅生长与非晶硅生长中氢表面反应的差异。通过研究D / H的温度依赖性来讨论这些反应的机理。 （C）2002 Elsevier Science B.V.保留所有权利。 [参考：11]

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