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首页> 外文期刊>Journal of Physics, D. Applied Physics: A Europhysics Journal >Defect characterization of InSb1_?xNx grown using radio frequency nitrogen plasma-assisted molecular beam epitaxy
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Defect characterization of InSb1_?xNx grown using radio frequency nitrogen plasma-assisted molecular beam epitaxy

机译：射频氮等离子体辅助分子束外延生长InSb1_？xNx的缺陷表征

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We report the growth of InSb1?xNx using radio frequency nitrogen plasma-assisted molecular beam epitaxy and its characterization using visible wavelength Raman scattering and x-ray diffraction. The effects of the growth temperature (330–420 °C) and the plasma power (200–500 W) on the N-induced defects were studied. Sb antisite defects from the A1gSb mode are shown to be dominant at a high growth temperature and a low plasma power. On the other hand, the high growth temperature and high plasma power induce the formation of interstitial Sb–N defects. A reduction in Sb related defects is observed at the lowest substrate temperature (330 °C) and plasma power (200 W). Based on the experimental results, a possible mechanism of defect formation is suggested.
机译：我们报告使用射频氮等离子体辅助分子束外延生长InSb1？xNx及其使用可见光拉曼散射和X射线衍射进行表征。研究了生长温度（330–420°C）和等离子体功率（200–500 W）对N诱导的缺陷的影响。 A1gSb模式的Sb抗位缺陷在高生长温度和低等离子功率下显示出优势。另一方面，高的生长温度和高的等离子体功率会引起间隙Sb-N缺陷的形成。在最低的基板温度（330°C）和等离子功率（200 W）下观察到Sb相关缺陷的减少。根据实验结果，提出了一种可能的缺陷形成机理。

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