Self-assembled Sn nanoplatelets on Si(111)-2 root 3 x 2 root 3-Sn surfaces

Shen QT; Li WJ; Dong GC; Sun GF; Sun YJ; Ma XC; Jia JF; Xue QK

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Self-assembled Sn nanoplatelets on Si(111)-2 root 3 x 2 root 3-Sn surfaces

机译：Si（111）-2根3 x 2根3-Sn表面上的自组装Sn纳米片

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Room temperature growth of Sn on Sn-induced Si(1 1 1)-2 root 3 x 2 root 3 surfaces is investigated by scanning tunneling microscopy. On the Si(1 1 1)-2 root 3 x 2 root 3-Sn surfaces, uniform arrays of hexagonal Sn nanoplatelets with narrow lateral size distribution are obtained. The experimental data show that the preferred lateral island size varies with Sn coverage. This variation can be explained in terms of island-island interactions. As a result of quantum size effects, the Sn islands exhibit preferred heights.

机译：通过扫描隧道显微镜研究Sn诱导的Si（1 1 1）-2根3 x 2根3表面上锡的室温生长。在Si（1 1 1）-2根3 x 2根3-Sn表面上，获得具有窄横向尺寸分布的六方Sn纳米片的均匀阵列。实验数据表明，优选的横向岛尺寸随锡覆盖率而变化。这种变化可以用岛屿与岛屿的相互作用来解释。由于量子尺寸效应，Sn岛表现出优选的高度。

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来源
《Journal of Physics, D. Applied Physics: A Europhysics Journal》 |2009年第1期|共4页
作者
Shen QT; Li WJ; Dong GC; Sun GF; Sun YJ; Ma XC; Jia JF; Xue QK;
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作者单位

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收录信息
原文格式 PDF
正文语种 eng
中图分类应用物理学;
关键词
GROWTH; ISLANDS; SI(111); ARRAYS; NANOSTRUCTURES; SI(001); GAAS; GE;

机译：growth;islands;SI(111);arrays;nanostructures;SI(001);GA as;GE;

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