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Reduction in critical current density by tuning damping constants of CoFeB for spin-torque-transfer switching

机译：通过调整CoFeB的自旋扭矩传递开关的阻尼常数来降低临界电流密度

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Different capping layers were deposited on 2.5 nm Co_(72)Fe_8B_(20) to investigate their effects on damping constants and critical current density (J_(C0)) for spin-torque-transfer switching. The damping constant of CoFeB is affected by the interfacial conditions and the spin-pumping effects. The Cu capping layer significantly suppresses intermixing and possesses the lowest damping constant of 0.009. The micromagnetic simulations reveal that the low damping constant of CoFeB may result in the nucleation of domains at lower current density, and thus reduces J_(C0). A reduction of 27% in J_(C0) can be achieved by replacing the conventional Ta capping layer with a Cu layer.
机译：将不同的覆盖层沉积在2.5 nm Co_（72）Fe_8B_（20）上，以研究它们对阻尼常数和临界电流密度（J_（C0））的影响，以进行自旋转矩转移切换。 CoFeB的阻尼常数受界面条件和自旋泵浦效应的影响。 Cu覆盖层显着地抑制了混合，并且具有最低的0.009阻尼常数。微磁模拟表明，CoFeB的低阻尼常数可能导致较低电流密度下的晶核形核，从而降低J_（C0）。通过将常规的Ta覆盖层替换为Cu层，可以使J_（C0）降低27％。

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