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首页> 外文期刊>Journal of synchrotron radiation >Local structures of (Ge_4/Si_4)_5 monolayer strained-layer supperlattice probed by fluorescence XAFS
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Local structures of (Ge_4/Si_4)_5 monolayer strained-layer supperlattice probed by fluorescence XAFS

机译：荧光XAFS探测（Ge_4 / Si_4）_5单层应变层超晶格的局部结构

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Local structures of (Ge_4/Si_4)_5 monolayer stained-layer supperlattice (MSLS) have been studied by fluorescence XAFS. The distortion of local lattice around Ge atoms is evidenced by the compressed Ge-Ge and Ge-Si bond lengths, R_(Ge-Ge) (0.243 nm)and R_(Ge-Si) (0.238 nm) in (Ge_4/Si_4)_5 MSLS are 0.002 nm shorter than those of c-Ge (R_(Ge-Ge)=0.245 nm) and the sum of covalent radii (R_(Ge-Si)=0.240 nm), respectively, The determined Si coordination number (2.2) is slightly larger than the Ge coordination number (1.8). A simple mechanism of site-exchange between particular sites and theadjacent several layers is proposed to interpret the interface structure for the (Ge_4/Si_4)_5 MSLS.
机译：通过荧光XAFS研究了（Ge_4 / Si_4）_5单层染色层超晶格（MSLS）的局部结构。 Ge原子周围的局部晶格畸变由（Ge_4 / Si_4）中压缩的Ge-Ge和Ge-Si键长，R_（Ge-Ge）（0.243 nm）和R_（Ge-Si）（0.238 nm）证明。 _5 MSLS分别比c-Ge（R_（Ge-Ge）= 0.245 nm）和共价半径之和（R_（Ge-Si）= 0.240 nm）短0.002 nm，确定的Si配位数（2.2 ）略大于Ge配位数（1.8）。提出了一种在特定站点和相邻几层之间进行站点交换的简单机制，以解释（Ge_4 / Si_4）_5 MSLS的接口结构。

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