...
首页> 外文期刊>日本写真学会志 >マルチバンド形成を目的とした3d遷移金属ドープGaNの特性評価
【24h】

マルチバンド形成を目的とした3d遷移金属ドープGaNの特性評価

机译:3d过渡金属掺杂GaN多带形成的特性评估

获取原文
获取原文并翻译 | 示例
           

摘要

高効率な水素製造水分解光触媒への応用を目的としてGaNへの3d遷移金属ドープが試みられている.Crを数%ドープしたGaNはバンドギャップ(3.4eV,紫外光に相当)中に中間バンドが形成され,可視域及び赤外域に応答性を持つマルチバンド物質となる.本研究では,3d遷移金属としてCrまたはVをドープしたGaNスパッタ膜の光学特性,及びその結晶性を評価し,電子の移動を阻害する要因と考えられる結晶粒界などの欠陥を除く目的でアニール処理を施した.
机译:为了应用于高效的制氢水分解光催化剂,已经尝试了将3d过渡金属掺杂到GaN中。掺杂有少量Cr的GaN在带隙(3.4 eV,相当于紫外光)中形成中间带,并成为在可见光和红外区具有响应性的多带材料。在这项研究中,我们评估了Cr或V掺杂的GaN溅射膜作为3d过渡金属的光学性能及其结晶度,并对其进行了退火处理,以消除诸如晶界之类的缺陷,这些缺陷被认为是阻碍电子运动的因素。处理。

著录项

相似文献

  • 外文文献
  • 中文文献
  • 专利
获取原文

客服邮箱:kefu@zhangqiaokeyan.com

京公网安备:11010802029741号 ICP备案号:京ICP备15016152号-6 六维联合信息科技 (北京) 有限公司©版权所有
  • 客服微信

  • 服务号