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非鉄金属分析－高融点金属－

机译：有色金属分析-高熔点金属-

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非鉄金属分析の高融点金属に関する進歩総説は，1984～1986年に発表された文献が紹介されて以来約9年が経過した。 本進歩絵説は，前回に引き続き高敵点金属のうちモリブデン，タングステン，ニオフ及びタンタルについて，1987～1996年の報告をAnalytical Analytractsを中心に調査し，取り上けた。この間，半導体デバイスの集積度は飛躍的に進展し，この進展には加工技術の微細化とともに材料そのものの進歩が重要な役割を果たした。 高融点金属も超大規 操集積回路（VLSI）用電子材料としての用途が開発されモリブデン及びタングステンのシリサイドは，ゲート材料や配線材料として実用化された。 タンタルは，今後の配線材料や誘電材料として有望視されている。 これら電子材料中の不純物，例えばアルカリ金属，アルカリ土類金属及び遷移金属は，半導体の特性に悪影響を与え，U及びThは，いわゆる “ソフトエラー”の原因となる。 このような理由から高純度化も急速に進んだ。 ダンプステンやモリブデンの成膜用ターゲノト村中のNa濃度は，1980年には10ppmオーダーであ－つたものが，1990年には0．1ppmオーダーとなり，現在は0．01ppmのオーターまで減少している。
机译：自从1984年至1986年发表的文献被引入有色金属分析中的难熔金属研究进展以来，已经过去了大约九年。上一篇文章的后继内容，是通过调查1987年至1996年关于高敌点金属中钼，钨，镍和钽的报告而着手进行的，重点是分析物。在此期间，半导体器件的集成度已大大提高，随着处理技术的小型化，材料本身的进步在这一进步中起着重要作用。难熔金属也已经被开发用作超大型控制集成电路（VLSI）的电子材料，钼和钨VDD已被实际用作栅极材料和布线材料。坦塔尔有望成为未来的布线材料和介电材料。这些电子材料（例如碱金属，碱土金属和过渡金属）中的杂质会不利地影响半导体的性能，而U和Th会导致所谓的“软错误”。因此，纯化快速发展。在Tagenoto村，Dumpsten和钼的成膜Na浓度约为10ppm，但1990年约为0.1ppm，现在已降至0.01ppm。有。

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