...
  • 主题
高级搜索  >
历史搜索 清空历史
首页> 外文期刊>日本セラミックス協会学術論文誌 >High-Temperature Oxidation Behavior of Chemical Vapor Deposited Silicon Carbide
【24h】

High-Temperature Oxidation Behavior of Chemical Vapor Deposited Silicon Carbide

机译：化学气相沉积碳化硅的高温氧化行为

获取原文
获取原文并翻译 | 示例
           
页面导航
  • 摘要
  • 著录项
  • 相似文献
  • 相关主题

摘要

The transitions from active to passive oxidation and from passive oxidation to bubble formation for CVD SiC were determined by changing oxygen partial pressures in O_2-Ar, CO_2-Ar, CO-CO_2 atmospheres at temperatures from 1600 to 2000 K. The active-to-passive transition behavior was significantly different between O_2-Ar and CO-CO_2 atmosphere, however the transition kinetics in both atmospheres were well explained by agner model, volatility diagram and numerical thermodynamic calculation. The transition behavior from passive oxidation to bubble formation was understood by calculating the equilibrium vapor pressures of SiO and CO at the SiO_2/SiC interface.
机译：通过改变1600至2000 K温度下O_2-Ar，CO_2-Ar，CO-CO_2气氛中的氧分压，可以确定CVD SiC从主动氧化到被动氧化以及从被动氧化到气泡形成的过渡。 O_2-Ar和CO-CO_2气氛之间的被动跃迁行为存在显着差异，但是通过agner模型，挥发性图和数值热力学计算可以很好地解释两种气氛下的跃迁动力学。通过计算SiO_2 / SiC界面处SiO和CO的平衡蒸气压，可以了解从被动氧化到气泡形成的过渡行为。

著录项

相似文献

  • 外文文献
  • 中文文献
  • 专利
获取原文

客服邮箱：kefu@zhangqiaokeyan.com

京公网安备：11010802029741号 ICP备案号：京ICP备15016152号-6 六维联合信息科技 (北京) 有限公司©版权所有

  • 客服微信

  • 服务号