Refinement of #beta#-Si_3N_4 Single Crystal Grown from Silicon Melt

Yoshinobu Yamamoto; Naoto Hirosaki; Ichiro Ishikawa; Jiping Ye; Kazuo Matsuo; Kenji Furuya; Fumio Munakata; Yoshio Akimune

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Refinement of #beta#-Si_3N_4 Single Crystal Grown from Silicon Melt

机译：硅熔体生长的＃beta＃-Si_3N_4单晶的改进

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Silicon powder in a reaction-sintered silicon nitride crucible was heated at 1600 deg C in a nitrogen atomosphere. Clustered #beta#-Si_3N_4 single crystals were obtained in residual silicon metal after cooling. The silicon residuals were dissolved by chemical purification using a mixture of aqueous HF and HNO_3, and subsequently treated and with H_2SO_4. Scanning electron microscopy observation showed that large #beta#-Si_3N_4 crystals without Si residuals could be successfully separated by this process.

机译：将反应烧结的氮化硅坩埚中的硅粉在氮气氛中在1600℃下加热。冷却后，在残留的硅金属中获得簇状的＃beta＃-Si_3N_4单晶。硅残留物通过使用HF和HNO_3水溶液的混合物进行化学纯化而溶解，然后用H_2SO_4处理。扫描电子显微镜观察表明，通过该过程可以成功地分离出没有Si残留的大的＃beta＃-Si_3N_4晶体。

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来源
《日本セラミックス協会学術論文誌》 |2000年第1257期|共3页
作者
Yoshinobu Yamamoto; Naoto Hirosaki; Ichiro Ishikawa; Jiping Ye; Kazuo Matsuo; Kenji Furuya; Fumio Munakata; Yoshio Akimune;
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作者单位

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收录信息
原文格式 PDF
正文语种 eng
中图分类陶瓷工业;
关键词
silicon nitride; single crystal; purification; morphology;

机译：氮化硅;单晶;纯化;形貌;

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