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SiC 単結晶成長法の最近動向と展望

机译：SiC单晶生长方法的最新趋势和前景

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Siの材料限界を打破する新たなパワー半導体材料としてシリコンカーバイド（SiC）単結晶に大きな期待が集まっている。本稿では、昇華法を中心とするSiC単結晶の結晶成長法を概説するとともに、その現状と将来展望について述べる。
机译：人们对碳化硅（SiC）单晶作为突破Si的材料极限的新型功率半导体材料抱有很高的期望。本文以升华法为中心，概述了SiC单晶的晶体生长方法，并介绍了其现状和未来发展前景。

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