270－320mn AIGaN系深紫外LEDの進展

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• 来源
  《照明学会誌》 |2008年第6期|共5页
• 作者

  平山秀樹; Hideki Hirayama;

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• 作者单位

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• 收录信息
• 原文格式 PDF
• 正文语种 jpn
• 中图分类 电气化、电能应用;
• 关键词

  深紫外LED; 窒化物半導俺; AIN; 量子井戸; 貫通転位; 量子効率; deep-UV LED; nitride semiconductor; AIN; quantum well; threading dislocation; quantum efficiency;

  机译：深紫外LED;窒化物半导俺;AIN;量子井戸;贯通転位;量子效率;deep-UV LED;nitride semiconductor;AIN;quantum well;threading dislocation;quantum efficiency;