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ガスクラスターイオンビームプロセス

机译:气体团簇离子束工艺

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摘要

イオンビームほ,1886年ゴールドシュタインによってカナール線として報告され,J.Jトムソンによって確認された1)。 その後トランジスターの発展に伴い,1970年代より半導体デバイス製造技術としてイオンビームが利用されるようになり,微細加工の分野で急速に進歩した。 その主な分野には,固体中に異種の原子を埋蔵させるイオン注入,固体表面を削り取るスパッタリング加工,固体表面上に非常に薄い膜をつくる薄膜形成技術などである。 いずれのプロセスにおいても,利用されるイオンは単原子ヤ分子をイオン化したものであり,それらの原子集臥即ちクラスターイオンを利用する考えはほとんど無かった。
机译:离子束(Ion Beam),由戈德斯坦(Goldstein)在1886年(J.M.由J Thomson确认1)。此后,随着晶体管的发展,自1970年代以来,离子束就已被用作半导体器件的制造技术,并且在微加工领域已取得了迅速的进步。它的主要领域包括将不同类型的原子嵌入到固体中的离子注入,刮擦固体表面的溅射工艺以及在固体表面上形成非常薄的薄膜的薄膜形成技术。在每个过程中,使用的离子都是离子化的单原子山药分子,几乎没有使用它们的原子组装的想法,即簇离子。

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