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Integrated multiscale process simulation

机译：集成多尺度过程仿真

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We summarize two approaches to integrated multiscale process simulation (IMPS), particularly relevant to integrated circuit (IC) fabrication, in which models for equipment (m) and feature (μm) scales are solved simultaneously, The first approach uses regular grids, and is applied to low-pressure chemical vapor deposition (LPCVD) of silicon dioxide from tetraethoxysilane (TEOS). The second approach uses unstructured meshes, and is applied to electrochemical deposition (ECD) of copper. The goal is to develop approaches to estimate "loading" in these processes; i.e., the effects of pattern density and topography on local deposition rates. This is accomplished by resolving pattern (mesoscopic, mm) scales, which are between equipment (0.1-1 m) and feature scales (0.1-1 μm). In this work, we focus on steady-state simulation results. We close with a few thoughts on extending IMPS to the grain scale, and the conversion of discrete atomistic representations to continuum representations of islands during deposition.
机译：我们总结了两种集成多尺度工艺仿真（IMPS）的方法，特别是与集成电路（IC）制造相关的方法，其中同时解决了设备（m）和特征（μm）尺度的模型，第一种方法使用规则网格，并且用于四乙氧基硅烷（TEOS）的二氧化硅的低压化学气相沉积（LPCVD）。第二种方法使用非结构化网格，并应用于铜的电化学沉积（ECD）。目的是开发一种方法来估计这些过程中的“负载”。即图案密度和形貌对局部沉积速率的影响。这可以通过解析图案（介观，毫米）的刻度来实现，该刻度在设备（0.1-1 m）和特征刻度（0.1-1μm）之间。在这项工作中，我们专注于稳态仿真结果。我们在扩展IMPS到晶粒度，以及在沉积过程中将离散原子表示转换为岛的连续体表示时，有了一些想法。

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