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Towards Polyoxometalate-Cluster-Based Nano-Electronics

机译：迈向基于多金属氧酸盐簇的纳米电子学

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We explore the concept that the incorporation of polyoxometalates (POMs) into complementary metal oxide semiconductor (CMOS) technologies could offer a fundamentally better way to design and engineer new types of data storage devices, due to the enhanced electronic complementarity with SiO_2, high redox potentials, and multiple redox states accessible to polyoxometalate clusters. To explore this we constructed a custom-built simulation domain bridge. Connecting DFT, for the quantum mechanical modelling part, and mesoscopic device modelling, confirms the theoretical basis for the proposed advantages of POMs in non-volatile molecular memories (NVMM) or flash-RAM.
机译：我们探索的概念是，由于与SiO_2的增强的电子互补性，高氧化还原电位，将多金属氧酸盐（POM）掺入互补金属氧化物半导体（CMOS）技术中可以提供一种从根本上更好的方法来设计和设计新型数据存储设备。 ，以及多金属氧酸盐簇可访问的多个氧化还原状态。为了探索这一点，我们构建了一个定制的模拟域网桥。连接DFT（用于量子力学建模部分）和介观器件建模，为提出的非易失性分子存储器（NVMM）或flash-RAM中POM的优点奠定了理论基础。

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