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Memory effect in organic transistor: Controllable shifts in threshold voltage

机译：有机晶体管的记忆效应：阈值电压的可控偏移

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A silver nanoparticles self-assembled monolayer was incorporated in pentacene field-effect transistors and their memory effects were investigated using the current-voltage measurement. The results showed that there was a significant shift in threshold voltage under different writing and erasing voltages applied on the gate electrode and the memory window changed accordingly with mentioned applied voltage bias. Charge retention time was estimated up to 2000 s even under different biased voltages. On the other hand, the reference OFETs without a nanoparticle layer exhibited no memory effects. Further, accelerated aging study of the organic transistors with nanoparticles revealed the conservation of memory window.
机译：将银纳米颗粒自组装单分子层并入并五苯场效应晶体管，并使用电流-电压测量研究其记忆效应。结果表明，在施加在栅电极上的不同的写入和擦除电压下，阈值电压发生了显着变化，并且存储器窗口随着所提到的施加的偏压而相应地改变。即使在不同的偏置电压下，电荷保持时间也估计高达2000 s。另一方面，没有纳米颗粒层的参考OFETs没有表现出记忆效应。此外，对具有纳米颗粒的有机晶体管的加速老化研究揭示了存储窗口的保存。

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