...
  • 主题
高级搜索  >
历史搜索 清空历史
首页> 外文期刊>Chemical Physics Letters >ZnO homojunction ultraviolet photodetector based on p-type dual-doped film and n-type nanorods
【24h】

ZnO homojunction ultraviolet photodetector based on p-type dual-doped film and n-type nanorods

机译：基于p型双掺杂膜和n型纳米棒的ZnO同质结紫外光电探测器

获取原文
获取原文并翻译 | 示例
           
页面导航
  • 摘要
  • 著录项
  • 相似文献
  • 相关主题

摘要

ZnO:(Ag,N)ZnO p-n homojunction was fabricated by depositing a ZnO:(Ag,N) film on vertically aligned ZnO nanorods (NRs). The homojunction is able to work as a self-powered device due to the photovoltaic effect, and the ZnO NRs play an important role in the photovoltaic conversion process. Current-voltage (I-V) characteristic shows a turn-on voltage of similar to 3 V and a rectification ratio of 1.3 x 10(2) at 5 V. Spectral responsivity exhibits an UV-to-visible rejection ratio of 1 x 10(2). The photocurrent rise and decay times are 7 and 45 ms, respectively. These results indicate the ZnO:(Ag,N)/ZnO homojunction is an attractive candidate for high-performance self-powered UV photodetectors. (C) 2014 Elsevier B.V. All rights reserved.
机译：通过在垂直排列的ZnO纳米棒（NRs）上沉积ZnO：（Ag，N）膜来制造ZnO：（Ag，N）ZnO p-n同质结。由于光伏效应，同质结能够用作自供电设备，并且ZnO NR在光伏转化过程中起着重要作用。电流-电压（IV）特性显示接通电压接近3 V，在5 V时的整流比为1.3 x 10（2）。光谱响应度表现出1 x 10（2）的紫外-可见光抑制比）。光电流的上升和下降时间分别为7 ms和45 ms。这些结果表明，ZnO：（Ag，N）/ ZnO同质结是高性能自供电UV光电探测器的诱人候选人。 （C）2014 Elsevier B.V.保留所有权利。

著录项

相似文献

  • 外文文献
  • 中文文献
  • 专利
获取原文

客服邮箱：kefu@zhangqiaokeyan.com

京公网安备：11010802029741号 ICP备案号：京ICP备15016152号-6 六维联合信息科技 (北京) 有限公司©版权所有

  • 客服微信

  • 服务号