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【24h】

High-Performance Triisopropylsilylethynyl Pentacene Transistors via Spin Coating with a Crystallization-Assisting Layer

机译：高性能三异丙基甲硅烷基乙炔基并五苯晶体管，通过旋涂和结晶辅助层实现

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The effects of spin speed and an amorphous fluoropolymer (CYTOP)-patterned substrate on the crystalline structures and device performance of triisopropylsilylethynyl pentacene (TIPS-PEN) organic field-effect transistors (OFETs) were investigated. The crystallinity of the TIPS-PEN film was enhanced by decreasing the spin speed, because slow evaporation of the solvent provided a sufficient time for the formation of thermodynamically stable crystalline structures. In addition, the adoption of a CYTOP-patterned substrate induced the three-dimensional (3D) growth of the TIPS-PEN crystals, because the patterned substrate confined the TIPS-PEN molecules and allowed sufficient time for the self-organization of TIPS-PEN. TIPS-PEN OFETs fabricated at a spin speed of 300 rpm with a CYTOP-patterned substrate showed a field-effect mobility of 0.131 cm~2 v~(-1) s~(-1) , which is a remarkable improvement over previous spin-coated TIPS-PEN OFETs.
机译：研究了自旋速度和无定形含氟聚合物（CYTOP）衬底对三异丙基甲硅烷基乙炔基并五苯（TIPS-PEN）有机场效应晶体管（OFET）的晶体结构和器件性能的影响。通过降低旋转速度可以提高TIPS-PEN膜的结晶度，因为溶剂的缓慢蒸发为形成热力学稳定的晶体结构提供了足够的时间。此外，采用CYTOP图案的底物可诱导TIPS-PEN晶体的三维（3D）生长，因为图案化的底物限制了TIPS-PEN分子，并为TIPS-PEN的自组织留出了足够的时间。以CYTOP图案为基板以300 rpm的旋转速度制造的TIPS-PEN OFETs的场效应迁移率为0.131 cm〜2 v〜（-1）s〜（-1），与以前的旋转相比有显着改善涂层的笔尖钢笔。

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