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机译:200 mm Ge / Si(001)衬底上的无金属CVD石墨烯合成
graphene synthesis; CVD; Ge(001); CMOS; 200 mm; ab initio DFT; faceting; nucleation;
机译:200 mm Ge / Si(001)衬底上的无金属CVD石墨烯合成
机译:CVD石墨烯的早期阶段在GE(001)衬底上
机译:通过CVD在(001)Si底板上生长的沉积和剥离缺陷石墨烯的拉曼光谱研究
机译:通过化学气相沉积路线简单地在介电基板上合成大面积多层石墨烯膜(通过CVD路线在介电基板上合成MLG膜)
机译:向底物一般不对称叠氮化反应的发展及其在鞘氨醇和植物鞘氨醇的对映选择性合成中的应用
机译:结冷胶固定的Alcaligenes sp。有效生产角蛋白酶。 AQ05-001使用不含重金属和污染的羽毛废料为基材
机译:通过化学气相沉积途径简单地合成介电基板上的大面积多层石墨烯薄膜(通过CVD途径合成介电基板上的MLG薄膜)