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【24h】

Antireflection coating formed by plasma-enhanced chemical-vapor deposition for terahertz-frequency germanium optics

机译：通过等离子体增强化学气相沉积形成的太赫兹频率锗光学抗反射涂层

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A method of manufacturing optical coatings for germanium optics used at terahertz frequencies has been developed. The various optical coatings used at terahertz frequencies are difficult to manufacture conventionally because these coatings must be as thick as several tens of micrometers, which is far thicker than those used in the optical region. One way to overcome this problem is to form a silicon oxide layer through plasma-enhanced chemical-vapor deposition, with silane (SiH_(4)) as a source gas. Using this method, I formed 21-μm-thick silicon oxide films as antireflection (AR) layers for germanium optics and obtained low reflection at 1.7 THz (wavelength, λ=175 μm). This method is easily applied to large-aperture optics and micro-optics as well as to optics with a complex surface form. The AR coatings can also be formed for photoconductive detectors made from germanium doped with gallium at a low temperature (160℃); this low temperature ensures that the doped impurities in the germanium do not diffuse. Fabrication of optical coatings upon substrates that have refractive indices of 3.84-11.7 may also be possible by control of the refractive indices of the deposited layers.
机译：已经开发出一种制造用于以太赫兹频率使用的锗光学器件的光学涂层的方法。传统上难以制造以太赫兹频率使用的各种光学涂层，因为这些涂层必须厚达几十微米，这比光学区域中使用的涂层要厚得多。解决该问题的一种方法是通过等离子体增强化学气相沉积形成氧化硅层，并使用硅烷（SiH_（4））作为源气体。使用这种方法，我形成了厚度为21μm的氧化硅膜作为锗光学元件的抗反射（AR）层，并在1.7 THz（波长，λ= 175μm）下获得了低反射率。这种方法很容易应用于大孔径光学和微光学以及具有复杂表面形式的光学。也可以在低温（160℃）下用掺锗的锗制成的光电导探测器形成增透膜。这种低温确保了锗中的掺杂杂质不会扩散。通过控制沉积层的折射率，也可以在折射率为3.84-11.7的基材上制造光学涂层。

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    《Applied optics》 |2003年第19期|共4页
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