机译:单片生长的1.5μm光泵浦垂直外腔面发射激光器的连续波操作
机译:单片生长的1.5μm光泵浦垂直外腔面发射激光器的连续波操作
机译:单片生长的1.5μm光泵浦垂直外腔面发射激光器的连续波操作
机译:在GaAs衬底上整体生长2μm锑基光泵浦垂直外腔表面发射激光器的连续波,室温操作
机译:室温CW工作在1.55 / spl mu / m的单片InP基光泵浦垂直外腔表面通过MOCVD生长的激光器
机译:外延战略的发展,以发展用于无源锁模光泵浦垂直外腔表面发射激光器(VECSEL)的新型半导体可饱和吸收镜(SESAM)
机译:不同腔配置中锁模垂直外腔面发射激光器的时滞-微分方程建模
机译:InP上基于光泵浦的1.6μm发射基于量子破折号的垂直外腔表面发射激光器的A类操作
机译:光学泵浦DFB激光器的高功率连续波单纵模操作在Lambda大约3.64千分尺。