• 主题
高级搜索  >
历史搜索 清空历史
首页> 外文期刊>Applied optics >Time-dependent photon number discrimination of InGaAs/InP avalanche photodiode single-photon detector
【24h】

Time-dependent photon number discrimination of InGaAs/InP avalanche photodiode single-photon detector

机译：InGaAs / InP雪崩光电二极管单光子探测器的时变光子数判别

获取原文
获取原文并翻译 | 示例
           
页面导航
  • 摘要
  • 著录项
  • 相似文献
  • 相关主题

摘要

We investigated the photon-number-resolving (PNR) performance of the InGaAs/InP avalanche photodiode (APD) as a function of the electric gate width and the photon arrival time. The optimal electric gate width was around 1 ns for PNR measurements in our experiment, which provided a PNR capability up to three photons per pulse when the detection efficiency was approx20percent. And the dependence of the PNR performance on the arrival time of the photons showed that the photon number could be better resolved if the photons arrived on the rising edge of the electric gate than on the falling edge. In addition, we found that with the increase of the electric gate width, PNR performance got worse. The observation would be helpful for improving the PNR performance of the InGaAs/InP APD in the gated mode.
机译：我们研究了InGaAs / InP雪崩光电二极管（APD）的光子数分辨（PNR）性能与电栅极宽度和光子到达时间的关系。在我们的实验中，用于PNR测量的最佳电门宽度约为1 ns，当检测效率约为20％时，PNR能够提供每个脉冲最多三个光子的PNR功能。 PNR性能对光子到达时间的依赖性表明，如果光子到达电子门的上升沿而不是下降沿，则可以更好地解析光子数。另外，我们发现，随着电门宽度的增加，PNR性能变差。该观察将有助于改善门控模式下InGaAs / InP APD的PNR性能。

著录项

相似文献

  • 外文文献
  • 中文文献
  • 专利
获取原文

客服邮箱：kefu@zhangqiaokeyan.com

京公网安备：11010802029741号 ICP备案号：京ICP备15016152号-6 六维联合信息科技 (北京) 有限公司©版权所有

  • 客服微信

  • 服务号