机译:MoS2饱和吸收体在1066 nm处对Nd:GdTaO4晶体的被动Q开关锁模性能
机译:MoS2饱和吸收体在1066 nm处对Nd:GdTaO4晶体的被动Q开关锁模性能
机译:被动Q开关模式锁定的ND:GDTAO4激光通过在1066nm处运行的铼碳化铼饱和吸收器
机译:钨二硫化 - 石墨烯氧化物作为可被动Q开关模式锁定的ND:GDTAO4激光器为1066nm
机译:二极管泵浦的Er:YAG单晶光纤激光器,通过Cr:ZnSe饱和吸收体进行被动调Q,发射1645 nm或1617 nm
机译:外延战略的发展,以发展用于无源锁模光泵浦垂直外腔表面发射激光器(VECSEL)的新型半导体可饱和吸收镜(SESAM)
机译:使用普通石墨烯可饱和吸收剂的无源同步Q开关和锁模双波段Tm3 +:ZBLAN光纤激光器
机译:被动同步的Q开关和模式锁定的双频TM3 +:Zblan光纤激光器使用公共石墨烯饱和吸收器