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【24h】

Investigation of optical bistability in a double InxGa1-xN/GaN quantum-dot nanostructure via inter-dot tunneling effect

机译：通过点间隧穿效应研究InxGa1-xN / GaN双量子点纳米结构中的光学双稳性

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In this paper, our aim is to control optical bistability (OB) and optical multistability (OM) in a five-level system designed in a double quantum dot (QD) nanostructure. In a realistic example, this atomic system is created in two semiconductor QDs (InxGa1-xN/GaN), owning transfer of carriers via tunneling effect. OB behavior is controlled not only by the inter-dot tunneling effect but also by variation of probe detuning and intensity of the control field. It is demonstrated that voltage-controlled detuning can significantly affect the behavior of OB and OM; therefore, the OM converts to OB by probe detuning and intensity of the control field. (C) 2015 Optical Society of America
机译：在本文中，我们的目标是在双量子点（QD）纳米结构中设计的五级系统中控制光学双稳态（OB）和光学多稳定性（OM）。在一个实际的示例中，此原子系统是在两个半导体QD（InxGa1-xN / GaN）中创建的，它们通过隧道效应拥有载流子的转移。 OB行为不仅受点间隧穿效应的控制，还受探针失谐和控制场强度的变化控制。事实证明，电压控制失谐会严重影响OB和OM的行为。因此，OM通过探头失谐和控制场强度转换为OB。 （C）2015年美国眼镜学会

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