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Gradient-based inverse extreme ultraviolet lithography

机译：基于梯度的逆极紫外光刻

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Extreme ultraviolet (EUV) lithography is the most promising successor of current deep ultraviolet (DUV) lithography. The very short wavelength, reflective optics, and nontelecentric structure of EUV lithography systems bring in different imaging phenomena into the lithographic image synthesis problem. This paper develops a gradient-based inverse algorithm for EUV lithography systems to effectively improve the image fidelity by comprehensively compensating the optical proximity effect, flare, photoresist, and mask shadowing effects. A block-based method is applied to iteratively optimize the main features and subresolution assist features (SRAFs) of mask patterns, while simultaneously preserving the mask manufacturability. The mask shadowing effect may be compensated by a retargeting method based on a calibrated shadowing model. Illustrative simulations at 22 and 16 nm technology nodes are presented to validate the effectiveness of the proposed methods. (C) 2015 Optical Society of America
机译：极紫外（EUV）光刻技术是当前深紫外（DUV）光刻技术最有前途的继承者。 EUV光刻系统的非常短的波长，反射光学器件和非远心结构将不同的成像现象带入了光刻图像合成问题。本文针对EUV光刻系统开发了一种基于梯度的逆算法，以通过全面补偿光学邻近效应，耀斑，光致抗蚀剂和掩模阴影效应来有效提高图像保真度。应用基于块的方法迭代地优化掩模图案的主要特征和子分辨率辅助特征（SRAF），同时保留掩模的可制造性。可以通过基于校准阴影模型的重定目标方法来补偿掩模阴影效果。提出了在22和16 nm技术节点上的说明性仿真，以验证所提出方法的有效性。 （C）2015年美国眼镜学会

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