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High performance horizontal gate-all-around silicon nanowire field-effect transistors

机译：高性能水平全能栅极硅纳米线场效应晶体管

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Semiconducting nanowires have been pointed out as one of the most promising building blocks for submicron electrical applications. These nanometer materials open new opportunities in the area of post-planar traditional metal-oxide-semiconductor devices. Herein, we demonstrate a new technique to fabricate horizontally suspended silicon nanowires with gate-all-around field-effect transistors. We present the design, fabrication and electrical measurements of a high performance transistor with high on current density (150μAμm ~1), high on/off current ratio (10 ~6), low threshold voltage (0.4V), low subthreshold slope (100mV /dec) and high transconductance (g _m9.5μS). These high performance characteristics were possible due to the tight electrostatic coupling of the surrounding gate, which significantly reduced the Schottky-barrier effective height, as was confirmed experimentally in this study.
机译：半导体纳米线已被指出是亚微米电气应用中最有前途的构件之一。这些纳米材料为后平面传统金属氧化物半导体器件领域带来了新的机遇。在这里，我们演示了一种新技术，用于制造具有全方位栅场效应晶体管的水平悬浮硅纳米线。我们介绍了具有高导通电流密度（150μAμm〜1），高导通/关断电流比（10〜6），低阈值电压（0.4V），低亚阈值斜率（100mV）的高性能晶体管的设计，制造和电气测量/ dec）和高跨导（g_m9.5μS）。这些高性能的特性归因于周围栅极的紧密静电耦合，从而显着降低了肖特基势垒的有效高度，如本研究实验所证实的。

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