InGaN quantum dot formation mechanism on hexagonal GaN/InGaN/GaN pyramids

Lundskog A.; Palisaitis J.; Hsu C.W.; Eriksson M.; Karlsson K.F.; Hultman L.; Persson P.O.; Forsberg U.; Holtz P.O.; Janzén E.

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InGaN quantum dot formation mechanism on hexagonal GaN/InGaN/GaN pyramids

机译：六角形GaN / InGaN / GaN金字塔上的InGaN量子点形成机理

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Growing InGaN quantum dots (QDs) at the apex of hexagonal GaN pyramids is an elegant approach to achieve a deterministic positioning of QDs. Despite similar synthesis procedures by metal organic chemical vapor deposition, the optical properties of the QDs reported in the literature vary drastically. The QDs tend to exhibit either narrow or broad emission lines in the micro-photoluminescence spectra. By coupled microstructural and optical investigations, the QDs giving rise to narrow emission lines were concluded to nucleate in association with a (0001) facet at the apex of the GaN pyramid.

机译：在六角形GaN金字塔顶点处生长InGaN量子点（QD）是一种实现确定性QD定位的好方法。尽管通过金属有机化学气相沉积进行了相似的合成程序，但文献中报道的量子点的光学性质却大不相同。在微光致发光光谱中，量子点倾向于表现出窄或宽的发射线。通过微观结构和光学研究的结合，得出了导致窄发射线的量子点与GaN金字塔顶点的（0001）晶面相关的成核现象。

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来源
《Nanotechnology》 |2012年第30期|共6页
作者
Lundskog A.; Palisaitis J.; Hsu C.W.; Eriksson M.; Karlsson K.F.; Hultman L.; Persson P.O.; Forsberg U.; Holtz P.O.; Janzén E.;
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