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Fabrication of high-resolution large-area patterns using EUV interference lithography in a scan-exposure mode

机译：在扫描曝光模式下使用EUV干涉光刻技术制作高分辨率大面积图案

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Limited beam spot size is a major limitation of interference lithography. This limits the area of patterning and reduces the pattern homogeneity. We describe a scanning exposure technique to circumvent this problem. We show the generation of uniform and seamless gratings with half-pitches down to 35nm over an area of several mm ~2 using EUV interference lithography. The presented technique offers a fast and cost-effective method of fabricating one-and two-dimensional periodic nanostructures with improved uniformity and increased patterning area.
机译：有限的束斑尺寸是干涉光刻的主要限制。这限制了图案化的面积并降低了图案均匀性。我们描述了一种扫描曝光技术来解决此问题。我们展示了使用EUV干涉光刻技术在几毫米〜2的面积上产生最小间距为35nm的半间距均匀且无缝的光栅的过程。提出的技术提供了一种快速且具有成本效益的方法来制造一维和二维周期性纳米结构，具有改善的均匀性和增加的图案化面积。

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