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【24h】

Photo-stimulated resistive switching of ZnO nanorods

机译：ZnO纳米棒的光刺激电阻切换

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Resistive switching memory devices are promising candidates for emerging memory technologies because they yield outstanding device performance. Storage mechanisms for achieving high-density memory applications have been developed; however, so far many of them exhibit typical resistive switching behavior from the limited controlling conditions. In this study, we introduce photons as an unconventional stimulus for activating resistive switching behaviors. First, we compare the resistive switching behavior in light and dark conditions to describe how resistive switching memories can benefit from photons. Second, we drive the switching of resistance not by the electrical stimulus but only by the modulation of photon. ZnO nanorods were employed as a model system to demonstrate photo-stimulated resistive switching in high-surface-area nanomaterials, in which photo-driven surface states strongly affect their photoconductivity and resistance states.
机译：电阻式开关存储设备是新兴存储技术的有希望的候选者，因为它们可产生出色的设备性能。已经开发出用于实现高密度存储器应用的存储机制。然而，到目前为止，由于受限的控制条件，它们中的许多都表现出典型的电阻切换行为。在这项研究中，我们介绍光子作为激活电阻切换行为的非常规刺激。首先，我们比较了在明暗条件下的电阻切换行为，以描述电阻切换存储器如何从光子中受益。其次，我们不是通过电刺激而是通过光子的调制来驱动电阻的切换。 ZnO纳米棒被用作模型系统，以演示高表面积纳米材料中的光刺激电阻转换，其中光驱动的表面状态强烈影响其光电导性和电阻状态。

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